韩国MEMS回路形成用光源紫外线灯

ORC紫外线照度计/光量计，型号：UV-08；可以实现曝光设备.UV传送装置照度.光亮同事测量①測定範囲310～385nm（峰值365nm）②光量測定ｍJ/cm2（１）測定範囲０．１～１９９９９．０ｍJ/cm2（２）表示範囲１～１９９９９ｍJ/cm2（３）光量超出１９９９９ｍJ/cm2，４個小数点和単位（ｍJ/cm2）点灭（１）測定範囲０．１～１００mW/cm2（２）照度超出１００mW/cm2，４個小数点和单位（mW/cm2）会点灭。调整精度：敝司UV标准器±1.5％；电源：单4电池2个或AC转换器；选择项目：UV-25，UV-42传感器，受光器线，通信线；本体尺寸：65(W)×110(D)×16mm(H),重量：160g；i线步进式光刻机NSR-SF150,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2D。韩国MEMS回路形成用光源紫外线灯

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的纳米级细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有高压汞灯，准分子激光器等。FX-902N紫外线灯ONL-5000Li线步进式光刻机NSR-SF150,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2D！

i线步进式光刻机NSR-SF155适用于半导体器件的制造。性能：Resolution分辨率≦280nm，NA0.62，Exposure light source曝光光源i-line(365nmwavelength)，Reductionratio缩小倍率1:4Maximumexposurefield，曝光范围26mm×33mm，Overlay重合精度≦25nm，Throughput产出≧200wafers/hour(300mmwafer,76shots),也可用于200mmwafer。采用悬吊投影镜头、减轻震动的“天钩构造”。通过高速运转的晶圆工作台，实现了每小时200片以上300mm晶圆的高产出。●超高产出采用了适于步进式光刻机的新平台“天钩构造”，同时晶圆工作台可高速运转，从而大幅度降低了振动，并实现了高产出。达到了每小时200片以上300mm晶圆的超高产出。高重合精度采用了“天钩构造”与配重物。并重新配置了空调管路，有利于工作室内的散热。实现了25nm以下的重合精度。使用ORC制作所生产的7.5KW超高压汞灯，对应型号：NLi-7500AL2。

特定の気体と金属蒸気の放電によって発光する電極間隔が1〜10ｍｍ程度のランプで、点灯中の圧力は100kPa以上です。リソグラフィ用UVランプとして高い評価と信頼をいただいています。ORCショートアークUVランプは高効率で紫外線を放射する点光源として、露光、乾燥、その他あらゆる産業、研究分野で利用されています。お客さまの御要望にお応えする幅広いラインナップを取りそろえており、共同開発などの課題解決のお役に立てます。i线步进式光刻机NSR-SF100,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率3.5KW，型号：NLi-3500AS。

UV/可視光硬化型接着剤を硬化させるように設定されたUVファイバー装置です。メンテナンス時のランプ交換が非常に簡単です。自動機組み込み用、または手作業用に対応可能です。0～100%まで自由自在な光量調整ができます。全世界フリー電源です。瞬時停電対応プログラム搭載です。UV(紫外線照射)ファイバー装置用ランプです。用途UV/VIS(紫外線/可視光硬化)接着剤の硬化に。UVファイバー HM88、HM66用メンテンスランプ。 仕様放射波長(250nm帯増強タイプ)240～400nm , 質量(g):28, 入力電圧(V):AC100～240、単相47Hz～63Hz 寿命約3000時間(365mm)表面硬化重視の場合はこの限りでありません。 位置ライトガイド接続口/操作パネル面、ランプ交換口/背面 主なワークパーツi线步进式光刻机NSR2205i14,用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2.5KW，型号：NLi-2510AL。紫外线灯受光器

i线步进式光刻机NSR-SF150,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2。韩国MEMS回路形成用光源紫外线灯

ORC紫外线照度计/光量计，型号： UV-351；

①測定範囲310～385nm（峰值355nm）②光量測定ｍJ/cm2（１）測定範囲０．１～１９９９９．０ｍJ/cm2（２）表示範囲１～１９９９９ｍJ/cm2（３）光量超出１９９９９ｍJ/cm2，４個小数点和単位（ｍJ/cm2）点灭（１）測定範囲０．１～１００mW/cm2（２）照度超出１００mW/cm2，４個小数点和单位（mW/cm2）会点灭。（３）设定计时测定通过背面开关和時間設定旋钮。１）计时時間１～１０秒２）機能照度、０．１mW/cm2以上的紫外线入力，设定时间计时动作开始、显示设定时间后照度。（４）自动保存峰值測定中的最大照度値。（HOLD点滅、ＤＡＴＡ点灯）④警報（１）温度本体内部温度高于60°时、４小数点和単位（℃）点灭。精度±３℃程度（２）电池电量低下，不能使用时，ＬＯＢＡＴ表示点灯。⑤受光素子图像二极管⑥使用温度範囲０～６０℃、无结露。⑦上記温度範囲，参考敝司ＵＶ標準精度：±１．５％以内⑧往复精度上記温度範囲内±１．５％以内⑨开机时间：电源开关ＯＮ1秒⑩電源按钮型锂電池（型式Ｍｎ０２－Ｌｉ３ＶＣＲ２４５０）⑪自动关机：照度0.1mW/㎝2以下約４分后電源OFF⑫本体寸法／重量約79（W）×160（D）×12（H）／約180g 韩国MEMS回路形成用光源紫外线灯